光芯片科技创新中心

 
        研究内容：面向半导体光电产业发展趋势，重点开展高速光通讯用的半导体外延材料与芯片技术及应用方面的研究。高质量量子阱外延材料的设计与生长技术：半导体异质结构材料多场能带剪裁、应变生长机理研究及可控制备；半导体激光器载流子动力学和调制特性：半导体异质结构材料中载流子、光子、声子相互作用过程及高速调制机理研究；激光器光场模式调控和封装技术，实现高效、稳定输出；高速芯片的制备、工艺优化、以及可靠性研究，开展有源区结构设计、芯片制备工艺封装工艺等研究，包括干法及湿法结合的半导体材料选择性刻蚀技术、优化脊型波导形状、AR和HR膜系的整体优化、散热封装等。研究异质性单元布局模型及其高效优化算法等科学问题，提出面向先进制程技术的VLSI异质性单元布局问题新的构想和解决方案。 
        发展目标：实现高质量光通信波段外延片；光芯片用外延材料，质量可以满足相关光芯片制备要求，所制光芯片的性能达到国际水平；实现大温度范围、无冷却、单模激光器单模半导体激光器开发；研制出4×25G直调CWDM-DFB阵列芯片研制；解决面向先进制程技术的VLSI异质性单元布局问题。