闽都创新实验室任意晶向自支撑大尺寸多孔GaN单晶衬底制备与应用研发项目组招聘启事

        闽都创新实验室（以下简称“实验室”）于2019年9月获福建省委省政府授牌成立，是福建省首批四家省级创新实验室之一。实验室由福州市人民政府牵头建设。 
        实验室围绕光电信息科技与产业领域，布局战略性先进光电材料、新型照明与显示、高速通讯与感知等三大研究方向，实现光电信息产业核心技术自主可控，建成光电信息领域国际一流的创新创业创造高地和高层次人才培养基地，为推动高质量发展超越、促进光电信息产业集群跨越式发展和产业结构优化升级提供强有力科技支撑。 
        任意晶向自支撑大尺寸多孔GaN单晶衬底制备与应用研发项目组致力于GaN单晶衬底研发，主要包括任意晶向自支撑多孔GaN单晶衬底及任意晶向自支撑大尺寸GaN单晶衬底的研发，同时进行GaN基器件的研发工作。根据工作需要，项目组拟招聘以下岗位：  
        一、招聘需求

岗位名称	招聘人数	岗位职责	岗位要求
外延生长工程师	1	1、负责GaN晶体外延生长实验，优化生长工艺，包括GaN薄膜外延及体块GaN单晶生长； 2、参与GaN晶体外延设备优化及设计； 3、晶体生长设备日常运行与维护； 4、GaN晶体材料分析与测试表征； 5、实验室安排的其它工作。	1、 硕士及以上学历，材料物理与化学等相关专业优先； 2、具有GaN晶体生长相关工作经验优先； 3、熟悉常见的机械设计软件，包括solidworks, CAD等； 4、熟悉使用CFD方法模拟计算流体力学问题者优先； 5、英语阅读和表达能力良好； 6、良好的协调沟通能力、逻辑思维能力，学习能力和时间观念，较强的原则性、抗压力及良好的职业道德。

         二、薪酬福利 
        1．薪酬待遇：执行实验室现有的具有市场竞争力的薪酬和绩效标准。 
        2．人才政策：实验室可协助申请各类人才配套待遇。符合实验室高层次人才评定条件的，应聘时可按照有关规定申请高层次人才及配套待遇的认定。 
        3．职称评定：根据相关政策规定申请职称评定。 
        4．人才培养：实验室坚持绩效和目标导向，在职称评定、学术交流与培训、科研绩效支出等方面向青年骨干人员倾斜，助力青年人才快速成长。 
        5．基本保障：按照福州市相关缴费比例缴纳五险一金，享受国家规定的各类假期、带薪年休假及年度体检等福利待遇。 
        三、应聘流程 
        1．应聘申请材料：应聘申请表、身份证/护照、学历/学位证书、学术成就目录、获奖证明、专利证书等复印件以及本人认为有必要提供的其他相关材料； 
        2．材料以“岗位名称+姓名+项目名称”命名发送至：Talentsfjoel.cn 
        3．招聘考核分为资格审查、专家面试、室务会审批等环节。对于通过资格审查的应聘者,由实验室组织评审专家对应聘者进行面试。相关岗位未招满前，岗位招聘启事长期有效。应聘申请材料恕不退还，实验室将予以严格保密。 
        四、联系方式 
        1．联系电话：+86-0591-63173852，13107686352 肖老师，林老师 
        2. 实验室网址：http://fjoel.cn/ 

        附件：应聘申请表