闽都创新实验室任意晶向自支撑大尺寸多孔GaN单晶衬底制备及应用项目组招聘启事

        闽都创新实验室（以下简称“实验室”）于2019年9月获福建省委省政府授牌成立，是福建省首批四家省级创新实验室之一。实验室由福州市人民政府牵头建设。实验室主任为中国科学院院士、福建物质结构研究所研究员洪茂椿。 
        实验室围绕光电信息科技与产业领域，布局战略性先进光电材料、新型照明与显示、高速通讯与感知等三大研究方向，实现光电信息产业核心技术自主可控，建成光电信息领域国际一流的创新创业创造高地和高层次人才培养基地，为推动高质量发展超越、促进光电信息产业集群跨越式发展和产业结构优化升级提供强有力科技支撑。 
        任意晶向自支撑大尺寸多孔 GaN 单晶衬底制备及应用项目组致力于新型GaN单晶衬底研发，解决 GaN 晶向调控与器件外延界面应力国际难题，实现产业化转化。根据工作需要，项目组拟招聘以下岗位：  
        一、招聘需求

岗位名称	招聘人数	岗位职责	岗位要求
晶体研发工程师	1	1、负责新型GaN单晶衬底生长工艺研发； 2、负责HVPE生长工艺优化与设计，指导技术人员完成设备运行与维护； 3、负责流动式气氛单晶提拉炉生长工艺研发，培训技术人员并建立标准作业流程； 4、参与实验室建设和运营管理。	1、具有物理、化学、材料、半导体或光电子等相关专业博士学位； 2、具有2年以上GaN晶体生长工作经验； 3、具有2年以上开放式提拉法晶体生长工作经验。

         二、薪酬福利 
        1．薪酬待遇：执行实验室现有的具有市场竞争力的薪酬和绩效标准。 
        2．人才政策：实验室可协助申请各类人才配套待遇。符合实验室高层次人才评定条件的，应聘时可按照有关规定申请高层次人才及配套待遇的认定。 
        3．职称评定：根据相关政策规定申请职称评定。 
        4．人才培养：实验室坚持绩效和目标导向，在职称评定、学术交流与培训、科研绩效支出等方面向青年骨干人员倾斜，助力青年人才快速成长。 
        5．基本保障：按照福州市相关缴费比例缴纳五险一金，享受国家规定的各类假期、带薪年休假及年度体检等福利待遇。 
        三、应聘流程 
        1．应聘申请材料：应聘申请表、身份证/护照、学历/学位证书、学术成就目录、获奖证明、专利证书等复印件以及本人认为有必要提供的其他相关材料； 
        2．材料以“岗位名称+姓名+项目名称”命名发送至：Talentsfjoel.cn 
        3．招聘考核分为资格审查、专家面试、室务会审批等环节。对于通过资格审查的应聘者,由实验室组织评审专家对应聘者进行面试。相关岗位未招满前，岗位招聘启事长期有效。应聘申请材料恕不退还，实验室将予以严格保密。 
        四、联系方式 
        1、联系电话：+86-（0）591-63662691 ，13459196744 林老师 
        2. 实验室网址：http://fjoel.cn/